IT公司诺贝尔物理学奖得主回顾

12月10日，一年一度的诺贝尔物理学奖颁奖典礼在斯德哥尔摩瑞典科学院举办。在110多年历史上，诺贝尔物理学奖得主大多源自大学和科研机构，不过几家杰出的IT公司也产生了约20位诺贝尔物理学奖得主。ZDNet至顶网回顾源自马可尼、贝尔实验室、IBM、德州仪器等公司的诺贝尔物理学奖得主。

贝尔实验室

克林顿·戴维孙
Clinton Davisson
1937年获奖
贝尔实验室

威廉·布拉德福德·肖克利
William Bradford Shockley
1956年获奖
贝尔实验室

约翰·巴丁
John Bardeen
1956年获奖
贝尔实验室

沃尔特·豪泽·布喇顿
Walter Houser Brattain
1956年获奖
贝尔实验室

菲利普·安德森
Philip Anderson
1977年获奖
贝尔实验室

阿诺·彭齐亚斯
Arno Penzias
1978年获奖
贝尔实验室

罗伯特·威尔逊
Robert Wilson
1978年获奖
贝尔实验室

朱棣文
Steven Chu
1997年获奖
贝尔实验室

霍斯特·施特默
Horst Stormer
1998年获奖
贝尔实验室

崔琦
Daniel Chee Tsui
1998年获奖
贝尔实验室

威拉德·博伊尔
Willard S. Boyle
2009年获奖
贝尔实验室

乔治·史密斯
George Smith
2009年获奖
IBM

江崎玲于奈
Leo Esaki
1973年获奖
IBM

格尔德·宾宁
Gerd K. Binnig
1980年获奖
IBM

海因里希·罗雷尔
Heinrich Rohrer
1980年获奖
IBM

约翰内斯·贝德诺尔茨
Johannes Bednorz
1987年获奖
IBM

卡尔·米勒
K. Alex Mueller
1987年获奖
马可尼公司

古列尔莫·马可尼
Guglielmo Marconi
1909年获奖
德州仪器

杰克·基尔比
Jack Kilby
2000年获奖
海因里希·罗雷尔
1937 年获奖
IBM公司

1909年

隶属机构

机构名称
马可尼无线电报公司

获奖原因

“对无线电报的发展的贡献”

古列尔莫·马可尼 Guglielmo Marconi

Guglielmo Marconi毕业于博洛尼亚大学，1895年春季利用电磁波做通信的试验，但是向意大利政府请求资助未果。1896年在英国进行了14.4公里的通讯试验成功，并取得专利。1897年起又进行了一系列的无线电通信实验，并在伦敦成立马可尼无线电报公司。1901年12月12日，马可尼的研究小组，在纽芬兰接收到从英国发送出来的第一个横跨大西洋的无线电信号。1932年发现高频波。

1937年

隶属机构

机构名称
贝尔实验室

获奖原因

“有关电子被晶体衍射的现象的实验发现”

克林顿·戴维孙 Clinton Davisson

Clinton Davisson生于美国伊利诺伊州的布卢明顿。毕业于布卢明顿高中。于1902 年，获准进入芝加哥大学，并且得到奖学金，能够专心攻读。后经过大师推荐，他成为普林斯顿大学的物理讲师。于1908 年，得到学士学位，正式转入普林斯顿大学的物理研究所，于1911年，获得博士学位。后来，戴维森被聘请为卡内基理工学院的副教授。1917年，第一次世界大战爆发，他暂时离开了学校，到西部电气公司（后来的贝尔实验室）的工程部门，从事军事科技研究。大战结束后，戴维森接受了西部电气公司提供的永久职位工作。

1956年

隶属机构

机构名称
贝尔实验室

获奖原因

“他们对半导体的研究和发现晶体管效应”

威廉·布拉德福德·肖克利 William Bradford Shockley

肖克利在英国伦敦出生，父母是美国人。他在加利福尼亚州长大并于1932年本科毕业于加州理工学院。1936年他获得了麻省理工学院博士学位，其博士论文题目为计算氯化钠晶体内的电子密度函数。1936-1955年期间他在贝尔实验室工作，曾任晶体管物理部主任。

隶属机构

机构名称
贝尔实验室

获奖原因

“他们对半导体的研究和发现晶体管效应”

约翰·巴丁 John Bardeen

1928年，巴丁获得威斯康星大学理学学士学位，1936年获得普林斯顿大学博士学位，此后，巴丁先后在哈佛大学、明尼苏达大学、海军军械实验室任职，1945年，巴丁来到贝尔实验室工作。因晶体管效应和超导的BCS理论两次获得诺贝尔物理学奖

隶属机构

机构名称
贝尔实验室

获奖原因

“他们对半导体的研究和发现晶体管效应”

沃尔特· 豪泽·布喇顿 Walter Houser Brattain

沃尔特·豪泽·布喇顿于华盛顿的惠特曼学院获得物理与数学双学士学位，1926年于奥勒冈大学获颁硕士学位，并且在1929年于明尼苏达大学获得他的博士学位，布喇顿的论文指导教授是约翰·泰特，他的题目是用电子撞击水银蒸气以研究激发能的异常现象。在1928与1929年他在位于首都华盛顿的国家标准局工作，1929年受雇于贝尔电话实验室。

1973年

隶属机构

IBM

获奖原因

“发现半导体和超导体的隧道效应”

江崎玲于奈 Leo Esaki

江崎玲于奈出生于大阪，为日本物理学家，1947年毕业于东京大学。后进入川西机械制作所工作，进行由真空管的阴极放出热电子的研究工作。1956年，转入东京通信工业株式会社。曾供职于后来变身为索尼的公司，由于他发现了电子具有管道特性而获得了1973年物理学奖。也曾在IBM就职。

1977年

隶属机构

机构名称
贝尔实验室

获奖原因

“对磁性和无序体系电子结构的基础性理论研究”

菲利普·安德森 Philip Anderson

菲利普·安德森出生于印第安纳波利斯并且在伊利诺伊州的厄巴纳度过他的童年。 1940年他从厄巴纳的高级中学毕业。之后他跑到哈佛大学完成了的学士学位并进入研究所。在约翰·凡扶累克的指导下学习物理。战争期间，安德森曾在美国海军研究实验室待上一段时间。1949年到1984年，安德森任职于新泽西的贝尔实验室，广泛地研究了凝态物理的许多问题。自1984起，他从贝尔实验室退休，到了普林斯顿大学主持约瑟·亨利物理教授席位。

1978年

隶属机构

机构名称
贝尔实验室

获奖原因

“发现宇宙微波背景辐射”

阿诺·彭齐亚斯 Arno Penzias　

阿诺·彭齐亚斯是出生于德国的犹太人，1964年与罗伯特·威尔逊一起发现了微波背景辐射，并因此获得1978年诺贝尔物理学奖。1958年获得硕士学位，1962年获得博士学位。而后任职于新泽西州霍姆代尔附近克劳福德山的贝尔电话公司。

隶属机构

机构名称
贝尔实验室

获奖原因

“发现宇宙微波背景辐射”

罗伯特·威尔逊 Robert Wilson　

美国射电天文学家，1964年与阿诺·彭齐亚斯一起发现了微波背景辐射，并因此获得1978年诺贝尔物理学奖。威尔逊1936年出生于美国得克萨斯州的休斯敦，父亲是一位化学工程师。威尔逊1957年以优秀的成绩毕业于莱斯大学，而后进入加州理工学院攻读研究生。1962年获博士学位。1963年威尔逊转往贝尔实验室设在新泽西州霍姆代尔的研究中心，与彭齐亚斯进行合作，于1964年使用一具为早期通讯卫星设计的天线发现了宇宙微波背景辐射

1986年

隶属机构

IBM

获奖原因

“研制扫描隧道显微镜”

格尔德·宾宁 Gerd K. Binnig　

1966年宾宁从奥芬巴赫的中学毕业，1973年又在法兰克福大学获得硕士学位，1978年同样在法兰克福大学完成论文《Tunnelspektroskopie an supraleitendem (SN)x》（超导材料(SN)x的隧道光谱学）并获得博士学位。当年，他加入了IBM公司的苏黎世研究实验室的物理研究组，这是宾宁一生中的一个重要决定，他在IBM公司认识了瑞士物理学家海因里希·罗雷尔。

隶属机构

IBM

获奖原因

“研制扫描隧道显微镜”

海因里希·罗雷尔 Heinrich Rohrer　

Heinrich Rohrer教授毕业于瑞士联邦工业大学，曾经在美国鲁特格尔斯（Rutge）大学做博士后，博士后研究结束之后加入了新成立的IBM苏黎世实验室，主要从事Kondo问题和反铁磁等方面的研究工作，后来转向扫描隧道显微镜的研制工作。在1986～1988年期间担任IBM公司苏黎士实验室的物理科学部门主任。

1987年

隶属机构

IBM

获奖原因

“在发现陶瓷材料的超导性方面的突破”

约翰内斯·贝德诺尔茨 Johannes Bednorz

贝德诺尔茨在1972年去IBM公司的苏黎世研究实验室进行为期3个月的夏季交流学生，1973年再一次前往苏黎世交流后，1974年又到苏黎世附近的Rüschlikon，完成了关于晶体生长和SrTiO3特性的硕士论文中的实验部分。贝德诺尔茨1976年硕士毕业后回到明斯特，1977年加入了瑞士苏黎世联邦理工学院的固体物理学研究所，攻读博士学位，导师仍旧是米勒。贝德诺尔茨在完成对钙钛氧化物CaTiO3型晶体生长的结构、导电特性和极化特性等的研究后，于1982年获得博士学位，并加入IBM公司。

隶属机构

IBM

获奖原因

“在发现陶瓷材料的超导性方面的突破”

卡尔·米勒 K. Alex Mueller

自从超导电性被发现以来，超导技术有被广泛应用的潜力，但由于超导转变温度太低，需要昂贵的液氦设备。对高临界温度超导电性（高温超导）的探索成为凝聚态物理学的一个重要课题。贝德诺尔茨与卡尔·亚历山大·米勒紧密合作开始于1983年对高临界温度的超导氧化物的系统研究，1986年获得重要发现。他们在陶瓷材料中发现超导电性，钡镧铜氧化物的临界温度是绝对零度以上33度（即开尔文33度），高于前一纪录12开尔文度。这一发现对全球许多新型超导材料的研究起到了突破性的作用，最终超导转变温度达到开尔文135度。

1997年

隶属机构

机构名称
贝尔实验室

获奖原因

“发展了用激光冷却和捕获原子的方法”

朱棣文 Steven Chu

朱棣文1970年毕业于罗切斯特大学，获数学学士和物理学学士学位，1976年获加利福尼亚大学伯克利分校物理学博士学位，后留校做了两年博士后研究，1978年到贝尔电话实验室工作，1983年任该实验室量子电子学研究部主任。1987年任美国斯坦福大学物理学教授，1990年任该校物理系主任。1993年6月被选为美国国家科学院院士。1998年6月5日，当选为中国科学院外籍院士。2004年6月被任命为位于加利福尼亚州的美国能源部下属的劳伦斯·伯克利国家实验室主任。2008年获得美国第56届当选总统奥巴马提名出任美国能源部长。

1998年

隶属机构

机构名称
贝尔实验室

获奖原因

“发现一种带有分数带电激发的新的量子流体形式”

霍斯特·施特默 Horst Stormer

1974年施特默硕士毕业后，前往法国格勒诺布尔的高强度磁场实验室攻读博士，他在那里第一次结识了来自贝尔实验室的崔琦。施特默的导师曾在美国贝尔实验室工作，1976年施特默访问了贝尔实验室，这促成了他在获得博士学位后，于1977年来到美国新泽西州的贝尔实验室做博士后。他1978年获得了贝尔实验室的固定职位，1983年成为固体电子与光学性质部门的主管，1991年被任命为贝尔实验室的物理学研究实验室主任，领导8个部门的约100名科研人员。在贝尔实验室从事科研20年后，施特默于1998年初前往纽约哥伦比亚大学，任该校的应用物理学教授。

隶属机构

机构名称
贝尔实验室

获奖原因

“发现一种带有分数带电激发的新的量子流体形式”

崔琦 Daniel Chee Tsui

崔琦出生在中国河南省平顶山市宝丰县肖旗乡范庄村一个农民家庭，在村里小学毕业后，他于1951年在北京读书，次年到香港培正中学就读。1957年香港培正中学毕业，1958年赴美国深造，就读于伊利诺伊州奥古斯塔纳学院。1967年在美国芝加哥大学获物理学博士学位，此后到贝尔实验室工作。（1968—1982年新泽西默里山贝尔实验室技术部成员）1982年起任普林斯顿大学电子工程系教授，主要从事电子材料基本性质等领域的研究。

2000年

隶属机构

机构名称
德州仪器

获奖原因

“发展了用于高速电子学和光电子学的半导体异质结构”

杰克·基尔比 Jack Kilby

在基尔比之前，电晶体取代笨重不稳定的真空管，但随电路系统不断扩张，元件愈来愈大，却遇到新瓶颈。尤其生产一颗电晶体的成本高达十美元，怎么缩小元件体积，降低成本，变成应用上的大问题。当时在德州仪器专注电路小型化研究的基尔比，利用多数同事放假、无人打扰的两周思考难题。就在贝尔实验室庆祝发明电晶体十周年后一个月，基尔比灵光涌现，在办公室写下五页关键性的实验日志。基尔比于1958年～1970年德州仪器公司，德克萨斯州，达拉斯；1970年11月自德州仪器公司离职，但继续为其担任兼职顾问

2009年

隶属机构

机构名称
贝尔实验室

获奖原因

“发明半导体成像器件电荷耦合器件”

威拉德·博伊尔 Willard S. Boyle

1924年出生于加拿大，在麦吉尔大学获得博士学位；1953年加入贝尔实验室，曾代表贝尔实验室为美国宇航局（NASA）提供技术支持，并发明了第一台用于医学以及NASA的登月计划选址所需的激光器

隶属机构

机构名称
贝尔实验室

获奖原因

“发明半导体成像器件电荷耦合器件”

乔治·史密斯 George Smith

史密斯1930年出生于美国纽约，在宾夕法尼亚大学获学士学位，在芝加哥大学获硕士和博士学位，1959年博士毕业后，史密斯加入了美国贝尔实验室。一开始，他的研究方向是半导体的电学性质和能带结构。1964年，史密斯成为贝尔实验室设备概念部门的负责人，成立这个部门的目的是研究下一代固态器件。1969年，史密斯和博伊尔共同发明了CCD图像传感器。史密斯先后撰写了40多篇科学论文，在美国拥有31个专利。由于史密斯作出的杰出贡献，2002年，美国电气与电子工程师学会还专门设立了一个以他命名的奖项。