英特尔对新型的三门（或称三维）晶体管的研发已经进入到针对量产的研发阶段。由于这些晶体管大大提升了传统晶体管的性能和能效，英特尔预计，在超越了45纳米制程技术之后的某个时间，三门晶体管技术可能成为未来微处理器的基本建筑模块。
自从20世纪50年代晚期，半导体产业迎来它的朝阳之后，平面型晶体管就被认为是芯片的基本建筑模块。随着半导体技术发展到纳米技术的纵深领域（尺寸小于100纳米），一些晶体管的尺寸甚至只有几层原子那么大，以前被认为只能做成“平面”的器件，现在可以设计成三维的，从而提高性能表现和功耗特性。英特尔在大批量生产更小尺寸的芯片方面一直是行业的领导者，现在英特尔又发明了一种方法，把这些三维的或曰三门的晶体管与其他关键的半导体技术结合起来，从而开启了高能效表现的一个新时代。
在英特尔未来的高能效表现方面，三门晶体管很可能会扮演一个至关重要的角色，因为三门晶体管相比现在的平面型晶体管，不仅渗漏低得多，而且消耗的电能也会少得多。比起现在的65纳米晶体管，集成的三门晶体管可以提升45%的驱动电流（开关速度）或者使关电流减小50倍，并使晶体管的开关电能减少35%。性能的提升和功耗的减少，将使用户在使用英特尔平台的个人电脑和其他设备时，获得更好的体验。
“这些结果证明，英特尔在取得新进展方面继续保持着领导地位，”英特尔副总裁兼器件研究总监Mike Mayberry说，“英特尔成功地集成了三个关键要素——三门晶体管几何学、高k栅介质、以及应变硅技术，在提升晶体管性能方面再次创下记录。这些结果使我们获得极大的信心，令我们相信摩尔定律在未来的十年中继续有效。”
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