6月中旬，各大芯片厂商和大学的研究人员出席了IEEE赞助的2006 Symposium on VLSI Circuits。芯片厂商计划在2007年末开始生产45纳米工艺的芯片，并在两年后将生产工艺进一步推进到32纳米。采用这些工艺生产的芯片将更快、能耗更低、集成有更多的晶体管、制造成本也更低。德州仪器曾表示，其采用45纳米工艺的手机芯片在性能提高30%的情况下，能耗反而会减少40%，消费者将能够在手机上玩游戏和看电视节目，而无须担心电池使用时间。
德州仪器展示了45纳米工艺的SRAM内存单元，它的尺寸较其他厂商的类似产品小了约30%。德州仪器能够减小SRAM单元尺寸的原因在于采用了浸没光刻技术。 IBM计划在2至3年后的32纳米工艺中采用其Nemo浸没光刻技术；尽管计划在45纳米工艺中采用，但英特尔可能在32纳米工艺中采用浸没光刻技术。
各大芯片厂商真正生产45纳米工艺芯片的时间各不相同。英特尔计划在2007年末向厂商交付45纳米工艺芯片，它是首批在2005年末交付65纳米工艺芯片的厂商之一。
德州仪器计划在2007年末生产45纳米工艺的芯片样品，商业化生产则需要等到2008年。
Freescale计划在这次会议上展示其硅绝缘技术，据称这种技术能够将芯片能耗降低30%。但是，Freescale没有表示是否会将该技术应用在45纳米工艺中。 AMD则计划在2008年年中开始生产45纳米工艺芯片，这意味着其计划的加速。
另悉，英特尔在这次会议上将阐述其开发的三门（或称三维）极晶体管。在标准晶体管中，电流由源极经过栅极流向漏极，三门极晶体管则有3个栅极。据悉，英特尔对新型的三门极晶体管的研发已经进入到针对量产的研发阶段。由于这些晶体管大幅提升了传统晶体管的性能和能效，英特尔预计，在超越了45纳米制程技术之后的某个时间，三门极晶体管技术可能成为未来微处理器的基筑模块。
英特尔负责组件研究的主管迈克说，在能耗相同的情况下，三门极晶体管的性能能够提高35%。尽管已经开发出原型产品，三门极晶体管不会被应用在英特尔的45纳米工艺中。迈克说，我们认为32、22纳米工艺将有很大的机会用上三门极晶体管。三门极晶体管很可能会扮演一个至关重要的角色，因为三门极晶体管相比现在的平面型晶体管，不仅渗漏低得多，而且消耗的电能也会少得多。比起现在的65纳米晶体管，集成的三门极晶体管可以提升45%的驱动电流（开关速度）或者使关电流减小50倍，并使晶体管的开关电能减少35%。性能的提升和功耗的减少，将使用户在使用英特尔平台的个人电脑和其他设备时，获得更好的体验。
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