英特尔日前在旧金山举行的英特尔开发者论坛(IDF)会上，展示一款内建80个核心的处理器，其中一大特色是每个核心都通过TSV (Through Silicon Vias)技术，直接与256MB的记忆芯片链接。
英特尔首席技术官Justin Rattner接受News.com专访时表示，在处理器核心中嵌入记忆芯片，可能构成整台电脑所需的内存。TSV适用于种类繁多的芯片，不只局限于80核处理器。
因此，电脑制造商在打造系统时，只要向英特尔采购处理器，就可附带取得所需的内存，不必再像现在这般，另需采购记忆芯片。
Rattner说：“你可以买整套。”
1980年代，英特尔曾是动态随机存取内存（DRAM）大厂，但后来因为遭遇日本厂商的激烈竞争而退出DRAM市场。（不过，英特尔继续生产NOR闪存芯片及其他类型的记忆芯片。通常这些芯片的用途与DRAM不同。）
让记忆芯片与处理器直接结合，可大幅提升性能。目前，在英特尔架构的电脑中，记忆芯片与处理器是通过内存控制器传输信息，但内存控制器的运转速度远比处理器缓慢，形成电脑性能方面的一大瓶颈。以TSV技术取代内存控制器，则会大大地加快信息传输速率。
潜在竞争优势
信息通过记忆芯片传递，也会造成连接埠(ports)壅塞，改用TSV技术可有效发布数千个连接埠。整体来说，Rattner指出，TSV是比在同一硅晶上植入80个处理核心更可观的成就。
Rattner指出，处理器核心不局限于从芯片内嵌的内存撷取信息。处理器核心借高速链接彼此相连。80核芯片原型的记忆频宽总计达到每秒1兆位组(TB)，即每秒可传输1兆位组的信息。
可想而知，TSV会让英特尔的头号竞争对手AMD坐立难安。AMD Opteron芯片先前借整合记忆控制器取得竞争优势，系因英特尔未在芯片中纳入整合型记忆控制器。
英特尔极不可能回头制造DRAM--DRAM仍是芯片市场中最难获利的一块领域。不过，TSV可能导致英特尔重拾记忆芯片销售业务。
但Rattner指出，推广TSV需要时间。附着在80核处理器上的记忆芯片是静态随机存取内存（SRAM)，成本比英特尔至今仍在生产的记忆芯片高。下一步是观察DRAM与TSV搭配的效果如何。
工程师也必须设计新的封装方式，让处理器与记忆芯片共存。处理器发布比记忆芯片更多的热，是必须考虑的一大因素。封装设计仍是芯片制造商面临的一大挑战。
他说：“这仍在研究阶段。未来几年，我们还有很多工作要做。”
|
|
|
|
|
|
|
|
|
